Auszug des Artikels von Stephan Tribbels
Dass elektronische Geräte in den vergangenen Jahrzehnten tendenziell kleiner geworden sind oder im Umkehrschluss in ähnlich groß gebliebenen Gehäusen heute mehr Elektronik steckt, dürfe bekannt sein. Und da der Trendzur Miniaturisierung im Bereich der Leistungselektronik anhält, auch um Material- sowie Betriebskosten zu senken, sind weltweit Entwickler aktiv, um Technik und deren Serienfertigung nachhaltig zu optimieren. Im vermeintlich beschaulichen und dennoch mit innovativem Forschergeist gespickten Baesweiler wird in punkto Halbleiter- bzw. Wafertechnik so Herausragendes zur Marktreife entwickelt, dass die beiden Firmen- Chefs Dr. Volker Sinhoff. und Dr. Yilmaz Dikme durchaus von „Gamechanger“-Technik sprechen. Das Verfahren dürfe also etliche führen. Mit ihren Prozessoptimierungen und neuen Herstellungsverfahren für Halbleiterschichten auf Basis von Galliumnitrid (GaN) an Stelle des bislang favorisierten Siliziums könnte ihre Firma „AIXaTECH – Aachen Advanced Technologies“ die nächste Generation der Leistungselektronik maßgeblich revolutionieren. Leistungselektronik kennt man aus dem Auto, Flugzeugen, Gebrauchsgütern wie Waschmaschinen, Mikrowellen und anderen Geräten – und fast alle dort verbaute integrierte Schaltkreise („Chips“) oder andere elektronische Bauteile basieren bislang auf Silizium. Diese Technik ist zwar ausgereift und günstig. Nachteilig ist jedoch, dass die Grenzen dieser Elektronik ausgereizt sind. „Die Steuerungselemente sind voluminös, die Wärmeentwicklung und der Stromverbrauch hoch, und mit der Schaltgenauigkeit ist es auch nicht so weit her“, fasst Dr. Volker Sinhoff. die unerwünschten Effekte der heute gängigen Halbleitertechnik auf Silizium-Basis zusammen. Neue Anforderungen setzen daher auf Kompaktheit, Genauigkeit im Schalten und vor allem auf Effzienz. Auf der Grundlage von Galliumnitrid!
Galliumnitrid begegnet uns heute bereits in LED-Leuchten und LED-TV. „Galliumnitrid ist das Material der Zukunft, das aber jetzt schon verfügbar ist. Daraus wird die zukünftige Leistungselektronik aufgebaut werden, was viele Vorteile bringt: Mit Bauelementen au Basis von Galliumnitrid lässt sich Elektronik realisieren, die mit weit weniger als 10% der Fläche von Silizium-Elektronik auskommt und deutlich höhere Spannungen und Ströme verträgt.